• 苏纳光电成立于2014年,以“造光通信中国芯”为愿景,致力于打造具有自主知识产权和核心竞争力的光探测、光发射、红外传感芯片,弥补国内此类芯片严重短缺、依赖进口的短板。公司依托中科院苏州纳米所的技术优势,技术覆盖Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体芯片的材料外延、工艺加工、测试分析的全链条。公司拥有洁净厂房,建有芯片研发平台和自主的产业化平台,拥有MBE、MOCVD、光刻、刻蚀、镀膜、封装和测试等全套研发和生产设备。

    公司主要产品包括1310/1550nm InGaAs PIN/APD/LD(FP/DFB)单元芯片及阵列、850nm GaAs PIN/VCSEL 、 InGaAs短波红外(SWIR)焦平面芯片(FPA)、8-12um QWIP高速单元探测器、焦平面芯片及制冷组件等。公司还能为客户提供III-V族化合物半导体外延片、芯片代工和咨询服务。全国产、高性价比和可定制是公司芯片产品的独特优势。

    公司现有人员20余人,其中博士4人,硕士4人,80%人员具有本科以上学历。现已申请国家发明专利13项,授权6项。公司正在主持和参与多项科研项目,包括江苏省产业研究院创新项目、苏州纳米科技协同创新工作站、某军种预研项目等。公司荣获2016年“苏州工业园区科技领军人才”称号。

    未来,苏纳光电将继续秉承“以市场和客户为中心”的指导思想,立足于材料生长和芯片工艺的持续创新,为下游客户提供性能更优、价格更低的芯片产品和服务,在光通信、光传感、光信息、红外成像等产业领域为客户持续创造核心价值。

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